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GM1109

GM1109型GaN内匹配单级功率放大器芯片，具有超宽带、高线性、高效率、增益平坦等特点。该芯片在漏极电压28V下可在30~1500MHz内提供5W的输出功率。该芯片主要用于综合终端射频前端、手持电台射频前端等领域。

关键技术指标
  • • 工作频率：30~1500MHz
  • • 饱和输出功率：37dBm
  • • 功率增益：13.5dB
  • • 饱和漏极效率：50%
  • • 芯片尺寸：4mm×4mm×0.9mm

GM1109
下载（GM1109产品手册22.5.26.pdf）

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