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GM1106

GM1106型GaN内匹配两级功率放大器芯片，具有超宽带、高线性、高效率、增益平坦等特 点。该芯片在漏极电压28V下可在30~700MHz内提供12.5W的输出功率。该芯片主要用于综 合终端射频前端、手持电台射频前端等领域。

关键技术指标
  • • 工作频率：30~700MHz
  • • 饱和输出功率：41.5dBm
  • • 功率增益：28dB
  • • 效率：55%
  • • 芯片尺寸：9mm×6mm×2.2mm

GM1106
下载（GM1106产品手册22.5.25.pdf）

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