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GM1110

GM1110型GaN内匹配单级功率放大器芯片，具有超宽带、高线性、高效率、增益平坦等特点。该芯片在漏极电压28V下可在30~700MHz内提供12.5W的输出功率。该芯片主要用于综合终端射频前端、手持电台射频前端等领域。

关键技术指标
  • • 工作频率：30~700MHz
  • • 饱和输出功率：41dBm
  • • 功率增益：16dB
  • • 漏极效率：60%
  • • 芯片尺寸：5mm×6mm×0.75mm

GM1110
下载（GM1110产品手册22.6.8.pdf）

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